2026年5月9日至10日，由中国科学技术大学物理学院自旋磁共振实验室主办的第一届光电子器件物理机制与电激发瞬态吸收光谱研讨会在合肥顺利举行。来自全国高校、科研院所及相关领域的约200位专家学者，以及TCL、维信诺、纳晶科技等头部显示企业派出的代表齐聚中国科学技术大学，围绕有机LED（OLED）、无机LED、量子点LED、钙钛矿LED四大领域的物理机制与先进表征方法展开深入交流。

本次会议聚焦光电子器件微观物理过程，以电激发瞬态吸收光谱（EETA）为主要研究工具，探讨如何通过原位、工况、高分辨的表征手段揭示器件效率、稳定性等关键性能背后的科学规律。会议共安排38个大会邀请报告，报告人来自中国科学技术大学、清华大学、北京大学、浙江大学、中国科学院微电子研究所、中国科学院化学研究所等二十余所顶尖高校与科研机构。TCL、维信诺、纳晶等企业代表也全程参与报告与讨论，与学术界共同推进产业关键难题的机理研究。

此次研讨会由大会主席、中国科学技术大学樊逢佳教授致开幕词，欢迎领域专家学者莅临会议，并对会议做了简单介绍。随后，杨楚罗教授（深圳大学）、孙钱研究员（中国科学院苏州纳米所）、金一政教授（浙江大学）、王建浦教授（南通大学）等知名学者分别就OLED材料与器件、氮化镓缺陷物理、QLED光通讯、高亮度钙钛矿LED等前沿议题作特邀报告。

会议重点设置了EETA专题环节，来自中国科大、华南理工大学、中国科学院化学研究所等单位的报告人分享了EETA光谱解析、量子点LED中的热电子行为、环境友好型量子点LED机理、钙钛矿LED性能衰减过程等最新成果。同时也探讨了深能级瞬态谱、光热偏转光谱、时间分辨EPR等重要表征技术，这些互补技术分别在缺陷态分析、热特性测量及自旋动力学等方面具有独特优势，与EETA相互印证、共同构成揭示器件物理机制的重要方法。

除了丰富的大会报告，本次研讨会还专门安排了实验室参观等互动环节，为参会者提供了多维度的学术交流平台。与会专家一致认为，本次研讨会主题鲜明聚焦，报告水准精湛，研讨交流深入，为国内光电子发光器件领域的研究者提供了宝贵的学术互动机会，也标志着我国在电激发瞬态吸收光谱方法学及其应用方面迈出了重要一步。

第一届光电子器件物理机制与电激发瞬态吸收光谱研讨会的成功举办，为国内光电子领域的科研工作者搭建了专注物理机制的高水平对话桥梁，对推动我国新型显示和发光技术的底层科学突破具有积极而深远的意义。

（中国科学技术大学自旋磁共振实验室）