7月2日下午，IEEE会士、美国伦斯勒理工学院的周达成教授应微纳中心林福江教授的邀请，来科大给我校师生带来了一场题为“高压碳化硅和氮化镓功率开关器件发展（Progress in High Voltage SiC and GaN Power Switching Devices）”的精彩讲座。

 

 

功率器件与我们的生活息息相关，性能优良、能效优越、成本适合的功率器件是一直以来是学术界和产业界的研发目标。近年来随着材料科学的新发现，更大的带宽、更高的效率及更小的体积的宽能带新一代移动通信基站氮化镓射频功率放大器成为我国目前科研的热点领域。

 

在报告中，周达成教授首先简单介绍了高压功率器件的结构和设计、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）工艺的差别和挑战、以及对未来的趋势展望。随后对上述内容进行了具体的讲解，他首先介绍了最近发展的高压功率开关碳化硅和氮化镓整流器和晶体管以及最新的商业器件的现状，接着又对碳化硅和氮化镓器件进行了对比，并展示了他的课题组最新的研究成果：首个在相同氮化镓晶片上整合HEMT和LED的独立元件，这种整合将会降低产品的故障率，降低成本，提升能源效率。在报告即将结束的时候，周教授分享了功率器件未来的发展趋势，并以一个启发性的公开问题作为本次报告的结束。

 

本次报告为在座师生们介绍了碳化硅和氮化镓功率器件，为以后应用这些器件进行电路设计和器件建模打下了良好的基础，使在座师生收获颇丰。报告结束后，周教授还与院系领导探讨了未来合作的事情，并欢迎科大学生去他的实验室从事科研工作。

 

周达成教授于1982年在伦斯勒理工学院（RPI）获得电子工程博士学位。1977-1989年任职于通用公司（GE）研发部门，1989年后到伦斯勒理工学院（RPI）电子计算机系统工程系（Electrical, Computer and Systems Engineering Department）做教授。从1982年开始，周教授就致力于功率半导体器件的开发，他目前的研究包括高压硅的新器件概念，工艺和电路模型和砷化镓、宽禁带半导体功率器件和集成电路设计。他发表了100多篇学术论文，获得了超过15项专利。周教授是美国电子电气工程协会会士（IEEE fellow）以及电化学协会的会员。

 

（信息学院、研究生院）