10月22日，首届“基于Si/GaAs/GaN 等半导体材料的射频器件建模、设计与生产制造专题研讨会（2013 Workshop on Si/GaAs/GaN RF Device Modeling, Design & Fabrication）”在苏州举行。我校“中科院人才计划”教授、电子科学与技术系执行主任林福江教授在研讨会上做了题为《第三代宽禁带电子器件的建模研究与功放设计》的主题报告。

先进微电子器件发展迅速，时刻影响着人们的生活。在我国，先进器件和工艺正需要交叉学科人才以及可靠的建模技术。第三代电子器件材料和设计技术除了可以应用于通信和雷达之外，在未来固态灯、汽车电子、能源管理乃至微波炉和医学领域都有新的应用。第三代电子器件可能也是解决太赫兹、太比特未来网高速互连瓶颈问题的最有效技术。林福江教授的演讲以GaN HEMT功率器件的建模为主线，探讨了建模思想，介绍了包括封装部分和本征部分建模方法在内的整个晶体管的建模流程，并对GaN HEMT器件中需要建模的物理效应以及热效应进行了细致的介绍。此外，他还从系统的角度探讨了射频收发机结构的发展等。

本届专题研讨会由新加坡国立大学苏州研究院主办，美国电气和电子工程师协会（IEEE）南京AP/MTT/EMC联合技术委员会分会协办。林福江教授是研讨会召集人和主持人之一，并在本次会议上被聘为新加坡国立大学苏州研究院“客座首席研究员”。会议旨在鼓励中国年轻学者和工程师面向世界前沿技术研发，为该领域专家、学者们搭建一个交流的平台。本次研讨会内容覆盖中国重大专项最新研究计划、器件建模、产学研结合，测试技术，关键难题等诸多方面，汇聚了业内权威的专家、企业家、学者、教授、企业高级技术和管理人才，其中包括杨士宁、张乃千、薛洪喜、林福江、周梅生等5位中组部“中科院人才计划”专家以及多位年轻博士，是一次真正的高层次、多角度、高战略、高标准的专业论坛。

（信息学院）